SUシリーズ

結晶方位測定装置

SUシリーズ

用途	単結晶シリコン／ウェハの結晶方位測定

Si、サファイア、GaAs、GaP、InP、InSb、SiC、など化合物に対応。独自の側角機構により単結晶インゴットやウェハの結晶方位・外観・外形を高精度に測定できます。

特長

FEATURES

独自の測角システムにより、高い再現性と直線性を実現します。

機構部は高い剛性と耐久性を有し、長期間安定した性能を維持することができます。

統計処理技術によりＸ線プロフィールピーク検出方式を採用し、高精度で安定した角度測定性能を得ることができます。

4方位測定機能だけでなく、2方位測定機能も有し、測定時間は4方位測定に比べ約1／2で済みます。（SU-001は対象外）
2方位測定は結晶方位のX,Y傾斜を球面幾何学を用いて厳密解で求めています。このため4方位測定と同じ精度で求まります。

Ｘ線量測定系は、パルスハイトアナライザによって散乱等の誤差原因を低減させ、Cuの特性Ｘ線を選別し、高精度の測定が可能です。

検出器は検出すべきＸ線（CuのＫα）に対して極めて高い感度を持っています。また、ガス検出器であることからＸ線の入射位置および方向に対する検出感度の変動が小さく、結晶面の傾き角の変化に対して安定した測定が可能です。

SPECIFICATION

基本仕様
型式	対象	測定項目	用途
SU-001	インゴット	Vノッチ（オリフラ面）方位	Vノッチ加工用円筒研削機に本装置を取り付けて、Vノッチ方位を決定します。・測定精度：±5′ ・対象ワークサイズ：2～18インチ
SU-002	インゴット	カット面方位（軸方位）	ウェハ加工前インゴットの軸方位を測定します。・測定精度：±30″ ・対象ワークサイズ：2～18インチ
SU-003	ウェハ	Vノッチ（オリフラ面）方位	カット面方位（軸方位）・ウェハのカット面方位およびVノッチ方位と所定の結晶面との傾きを測定し、基準値と比較して良否判定をします。・測定精度：±30″（カット面) ・対象ワークサイズ：2～18インチ
SU-005	インゴット	Vノッチ（オリフラ面）方位、外観、形状、重量	Vノッチ加工後のインゴットについて、Vノッチの形状・深さ・結晶方位、さらに、インゴットの欠け、傷、切削残、直径、重量を測定します。測定精度：±5′
SU-021	インゴット	Vノッチ（オリフラ面）方位	カット面方位（軸方位）ウェハ加工前インゴットの軸方位とVノッチの結晶方位を同時に測定します。（側面の測定のみで軸方位を求めます。特許第3805869号）・測定精度：±5′（カット面） ±3′（Ｖノッチ方位）

SU-001

対象	インゴット
測定項目	Vノッチ（オリフラ面）方位
用途	Vノッチ加工用円筒研削機に本装置を取り付けて、Vノッチ方位を決定します。・測定精度：±5′ ・対象ワークサイズ：2～18インチ

SU-002

対象	インゴット
測定項目	カット面方位（軸方位）
用途	ウェハ加工前インゴットの軸方位を測定します。・測定精度：±30″ ・対象ワークサイズ：2～18インチ

SU-003

対象	ウェハ
測定項目	Vノッチ（オリフラ面）方位
用途	カット面方位（軸方位）・ウェハのカット面方位およびVノッチ方位と所定の結晶面との傾きを測定し、基準値と比較して良否判定をします。・測定精度：±30″ ・対象ワークサイズ：2～18インチ

SU-005

対象	インゴット
測定項目	Vノッチ（オリフラ面）方位、外観、形状、重量
用途	Vノッチ加工後のインゴットについて、Vノッチの形状・深さ・結晶方位、さらに、インゴットの欠け、傷、切削残、直径、重量を測定します。測定精度：±5′

SU-021

対象	インゴット
測定項目	Vノッチ（オリフラ面）方位
用途	カット面方位（軸方位）ウェハ加工前インゴットの軸方位とVノッチの結晶方位を同時に測定します。（側面の測定のみで軸方位を求めます。特許第3805869号）・測定精度：±5′（カット面） ±3′（Ｖノッチ方位）